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일본 新반도체 산업 전략과 글로벌 공급망 구축
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  • 일본
  • 전혜윤
  • 기업명 :
  • 2023-06-29
  • 출처 : KOTRA

’90년대 이후 세계 반도체 산업에서의 점유율10%대까지 하락하였고, 현재까지도 이전의 위상을 회복하지 못하고 있다. 이에 따라, 일본은 반도체 산업 부흥을 위해 3단계 실행계획에 기반한 ’21.6반도체·디지털 산업 전략을 발표했다. 일본의 반도체 산업 전략을 자세히 알아보자.

□ 일본 반도체 산업 현황

- IC Insights에 따르면, 세계 반도체 산업에서 점유율은 ’8850.3%였으나, ’1910%*대로 정체

    * 미국 50.7%, 한국 19%, 유럽 10%, 대만 6%, 중국 5%

 ’19년 일본은 개별반도체 분야를 제외한, 로직·아날로그·메모리 분야에서 10% 미만의 점유율에 그쳤으나, 플래시 메모리(NAND), 자동차·공장자동화(FA)MCU, CMOS 이미지센서, 파워반도체는 비교적 높은 점유율* 보유

    * ’18년 기준 플래시 메모리(NAND)키옥시아가 삼성전자(36%)에 이어 세계 2(19%), CMOS 이미지센서소니세계 1(54%) 시장점유율 보유

 

□ 일본의 新반도체 전략 개요

- ’21.6경제산업성은 반도체·디지털 산업 전략제정을 통해 반도체 산업 부흥을 위한 단계별 로드맵을 설정하였으며, ’23.4반도체·디지털 산업 전략(개정안)발표를 통해 로드맵 구체화

 (1단계) 국내 반도체 생산 기반 강화, (2단계) 차세대 반도체 설계기술 확보, (3단계) 미래 기술의 연구개발 추진 등 단계별 목표를 설정하고, 미국·대만·벨기에 등 우호국과 글로벌 반도체 공급망을 적극 구축 중

 정부는 단계별 성과 창출을 위해 ’22년 추경예산 중 첨단 반도체의 국내 생산거점 확보(1단계)’4,500억 엔(4.7조 원), 차세대 반도체 제조를 위한 포스트 5G 시스템 기반강화 연구 개발사업(2단계)’4,850억 엔(4.4조 원) 출자

<정부의 단계별 반도체 전략 요약>

구분

국내 생산기반 강화

차세대 설계기술 확보

미래 기술의 연구개발

첨단 로직 반도체

국내 제조거점 정비

2nm 로직 반도체의 제조기술 개발, Beyond 2nm 반도체 연구개발(LSTC)

광융합 등 게임체인저

미래 기술 개발

첨단 메모리

반도체

미국과 연계해

국내 설계·제조거점 정비

NAND, DRAM의 고성능화,

혁신 메모리 개발

혼재 메모리 개발

산업용 특화

반도체

종래형 반도체의

안정적 공급체제 구축

SiC 파워 반도체 등의

성능 향상, 저비용화

GaN-Ga2O3 파워 반도체

첨단 패키지

첨단 패키지 개발거점 설립

칩렛 기술의 확립

광칩렛, 아날로그·디지털 혼재

SoC 실현

제조장치·부소재

제조장치·부소재의 안정적 공급체제 구축

Beyond 2nm에 필요한

차세대 재료 실용화를 위한 기술 개발

미래 기술 상용화를 향한 기술개발

국제 연계

해외 파운드리(TSMC)와 합작공장 설립 지원

美日 연구기관(NSTC, LSTC),
IBM, 벨기에 imec 등과 연계

, EU, 벨기에, 네덜란드, 영국, 한국, 대만 등 연구개발 협력 추진


□  단계별 반도체 공급망 구축 전략

 

1) 국내 반도체 생산 기반 강화 (미국·대만 연계)

- 일본 덴소·소니와 대만 TSMC의 반도체 솔루션 합작회사인 JASM(Japan Advanced Semiconductor Manufacturing)반도체 산업전략 1단계의 핵심 프로젝트

 JASM의 쿠마모토현 제 1공장소니 그룹의 이미지센서 사업에 들어갈 반도체 28nm 세대를 생산할 예정이며, 2공장12nm 세대의 양산을 통해 자동차의 화상처리용 IC 등 용도에 대응할 것으로 예상

 경제산업성 카나자시 정보산업과장은 TSMC 일본 공장 설립은 일본 산업 내 수요가 큰 28~12nm 범위의 로직 반도체 수급에 기여할 것이며, 일본 반도체 양산 기술의 한계는 40nm로 이를 보완하는 프로젝트라고 언급

<해외기업 투자를 통한 첨단반도체 공장 현황>

구분

투자 기업

관련 사업자

TSMC, SONY

KIOXIA, Western Digital

Micron

국가

대만

미국

미국

승인일

’22.6.17

’22.7.26

’22.9.30

최대 보조금

4,760억 엔

929억 엔

465억 엔

계획

장소

쿠마모토현

미에현

히로시마현

주요 제품

로직 반도체 (22/28nm·12/16nm)

3차원 플래쉬 메모리(6세대)

DRAM(1β세대)

생산능력

5.5만 장/(12인치 환산)

10.5만 장/(12인치 환산)

4만 장/(12인치 환산)

초회 출하

’24.12

’23.2

’24.3~5

납입처

일본 고객 중심

메모리, 스마트폰, PC,

데이터센터, 자동차 등

자동차, 의료기기, 인프라,

데이터센터, 5G, 보안 등

설비 투자액

86억 달러

2,788억 엔

1,394억 엔

 

2) 차세대 반도체 설계 기술 개발 (미국·벨기에 연계)

- 정부는 차세대 반도체(Beyond 2nm) 설계기술 개발을 위해 개방형 연구개발 거점을 구축하고, 향후 차세대 반도체를 양산할 수 있는 거점 구축하기 위해 반도체 연구기관 LSTCRapidus설립을 지원*

* 제조기술 : IBMGAA(Gate All Around) 노하우 전수, EUV 노광장치 획득(’24년 말), 벨기에 imec 미세화·링그라피기술개발 지원

 Rapidus는 도요타, 소니, 키옥시아 등 일본 주요 기업 8개사 출자로 출범하였으며, ’27년까지 차세대 로직 반도체 개발을 목표로 10년간 5조 엔의 설비투자를 계획 중 (정부는 700억 엔 지원 결정)

 Rapidus미국 IBM2nm 노드 반도체의 공동 개발 파트너십을 체결했으며, 유럽 최고 수준의 반도체 연구개발 생태계를 형성하고 있는 벨기에 IMEC과 차세대 반도체 개발에 관한 MOC(협력각서) 체결

 

3) 미래 기술의 연구개발 (다양한 유지(有志)국과 연계)

- 반도체·산업전략 3단계에서는 광전 융합·양자 등 기술의 연구개발을 목표로 설정하였으며, ’30년 이후 본격 구현될 양자컴퓨터 새로운 사례 적용을 염두에 두고 장기적 연구개발을 진행

 이를 위해 미국, EU, 한국, 벨기에, 네덜란드, 영국, 대만 등차세대 반도체 실용화 사례를 창출하고, 공동 연구를 추진할 계획


작성: 글로벌공급망실, KOTRA | 참고: 경제통상 리포트(23-03), KOTRA 도쿄무역관

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