日 반도체 업계, 대용량 기술 전략 수정하며 한국 의식

- 메모리 대용량 기술, 미세화에서 적층화로 방향 전환 -

- 기술개발 성패가 향후 10년 좌우 -

     

     

     

□ 일본 반도체 업계가 메모리 대용량 기술을 미세화에서 적층화로 방향 전환

     

 ○ 일본 업체들이 기존에 추진해왔던 미세화 기술, 즉 회로선폭을 가늘게 해 용량을 증가하는 방법을 전면 수정

  - 데이터 기억 셀을 평면 방향이 아니라 수직으로 적층해 메모리 양을 늘리는 적층화 기술로 방향 선회

 

 ○ 라이벌인 한국의 삼성전자 의식, 기존 미세화 기술 포기 결정해야 할 단계

  - 도시바 및 엘피다, 2013년 3차원 적층 메모리 투입 예정

  - 출시예정인 3차원 적층 NAND 형 플래시 메모리는 별도의 미세화 작업 없이 대용량화가 가능하므로 기존 반도체 제조설비 사용 가능

 

차세대 메모리 제품별 특징

종류	특징 및 과제
3차원 NAND	- 구세대 기술에서 대용량화 가능
ReRAM (저항변화식 메모리)	- 기록전환 시간을 대폭 단축 - 구조가 간단해 미세화 가능 - 작동 시 균일성 확보가 과제
MRAM (자기기록식 메모리)	- 전력소비, 기록전환 시간 대폭 단축 - 대용량화가 과제
PRAM (상변화 메모리)	- 기록전환 시간을 대폭 단축 - 구조가 간단해 미세화 가능 - 제조기술의 확립이 과제

자료원: 일간공업신문

     

□ 도시바, 미세화와 적층화 병행하며 삼성전자 견제

 

 ○ NAND형 플래시 메모리 시장에서 도시바가 선두 삼성과 거의 어깨를 나란히 하게 된 원동력이 미세화 기술

  - 그러나, 한국 등을 따라잡기 위해 더 앞선 미세화 기술 대신 적층형 기술 비중 확대

  - 선폭이 가늘어지면 전류가 누수 되기 쉬우므로, 2015년경에는 미세화 기술이 한계에 달할 것이라는 견해가 지배적

  - 다층 셀을 일괄 형성할 수 있는 "BiCS" 기술을 최초로 실용화할 방침

 

 ○ 도시바는 현재 미세화와 3차원 NAND 개발 병행

  - 미세화 기술에 많은 자원을 투입하고 있지만, 현재의 19나노미터보다 높은 수준의 10나노미터 초반대 기술개발에 난항

  - 미세화 기술 진전을 위한 차세대 제조 장치의 성능 평가도 기대를 밑돌고 있어 장래 불투명

  - 3차원 NAND 전환 촉진 계기

  - 소재의 다양화 등을 통한 차세대 메모리 실용화에 박차

     

□ 엘피다 메모리와 샤프, ReRAM 공동 개발

     

 ○ ReRAM은 셀 구조가 간단하므로 성능 향상 용이

  - 이론적으로 NAND 메모리의 수천 배에 달하는 빠른 속도로 기록 가능

  - 2013년 출시 목표

  - 미국 마이크론사 역시 이 제품의 개발에 착수, 2013~2014년경 실용화 목표

     

□ 포스트 DRAM에서는 한국의 하이닉스가 선발주자

     

 ○ 최근 도시바와 MRAM의 공동개발 착수, 2014년 실용화 목표

  - DRAM과 속도가 거의 같은 반면 전력소비가 적은 것이 특징

     

 ○ 엘피다는 PRAM 연구 추진

  - ReRAM은 기술적 불완전함, MRAM은 대용량화에 한계가 있다고 판단

     

□ 세계 반도체 업계, 고속화와 전력 저소비화 등을 추구하는 차세대 메모리 개발이 필수적라는데 의견일치

     

 ○ 이미 삼성전자는 3차원 NAND, MRAM, ReRAM 등 여러 기술 개발에 자원 집중 투입 중

  - 이러한 다면화 전략의 성패는 향후 10년의 세계시장 점유율을 좌우하게 될 듯

     

 ○ 도시바, 차세대 메모리 시장의 ‘전국시대’ 예상

  - 시장선점 위한 기업이 순발력과 빠른 판단력이 승패를 좌우하게 될 전망

     

 ○ 세계 반도체 업계를 주름잡은 한일 양국 기업 간 치열한 차세대 전쟁 전개 예상

  - 기술개발, 상용화 등에 누가 먼저 성공하느냐가 관건

     

     

자료원: 일간공업신문, KOTRA 오사카 KBC